在AI算力范畴，HBM凭仗笔直堆叠DRAM芯片结构稳居顶流，牢牢掌控AI练习与推理的中心命脉。

  但现在这位“顶流”的王座危如累卵，SPHBM4、HBF、HBS、HMC四位挑战者已悄然亮剑，AI存储圈的“王位挑战赛”剑拔弩张，终究谁能撼动HBM的操控位置？

  HBM能稳坐霸主之位，中心依仗是超高数据带宽，但再强势的存在也有软肋，这两大短板直接撕开了它的操控防地。

  第一个短板是价格居高不下。HBM价格较一般DDR内存高出一个数量级，可谓“存储界爱马仕”，昂扬本钱直接将很多欲入局AI赛道的厂商挡在门外。

  第二个短板是容量天花板难以打破，受DRAM内存密度技能瓶颈约束，即便是英伟达Blackwell GPU搭载的8个24GB HBM3e芯片仓库，总容量仅192GB，底子没办法满意AI模型规划暴升、上下文拓宽及AI视频生成带来的海量数据需求。

  HBM的短板为商场发明了机会，四位挑战者顺势上台，各携独门绝技比赛AI存储赛道。

  SPHBM4走“兼容+拓宽”的改进道路的DRAM芯片与堆叠架构，中心长处是优化接口根底裸片规划，可直接搭载于规范有机基板，摆脱了传统HBM4对硅基板的依靠。

  虽然其单仓库接口位数从2048位降至512位，但经过进步作业频率与4:1串行化技能，完结了与HBM4适当的数据传输速率，且有机基板布线支撑更长的SoC到内存通道，可经过添加仓库数量进步总容量，成功打破HBM“高价、仅限AI加快器专用”的限制。

  HBF是“容量卷王”，以NAND闪存为中心竞赛力，结构与HBM相似但选用笔直堆叠NAND芯片。

  NAND闪存容量密度优势明显，相同空间下容量可达DRAM的10倍，精准匹配AI场景的大容量存储需求。

  它经过硅穿孔技能完结多层NAND笔直堆叠，结合3D堆叠架构与芯片到晶圆键合技能，构建密布互连存储结构，每个封装最多堆叠16个NAND芯片，支撑多阵列并行拜访，带宽达1.6TB/s至3.2TB/s，与HBM3相等。

  更要害的是，HBF能以挨近HBM的本钱完结远超其的容量，单仓库最高512GB，8个仓库即可达4TB，是HBM的8-16倍。

  不过受NAND闪存固有特性影响，HBF推迟高于DRAM，更适配读取密布型AI推理使命，而非推迟灵敏型使用。

  HBS是专为终端设备定制的“性价比选手”，由SK海力士针对手机、平板等终端AI算力需求研制，中心方针是打破终端AI存储功能瓶颈。

  它选用笔直导线扇出封装工艺，最多可笔直堆叠16层DRAM与NAND芯片，经过直线直接衔接芯片代替传统曲折导线，将电信号传输途径缩短至传统内存的1/4以下，有实际效果的削减信号损耗与推迟，一起支撑更多I/O通道。

  功能上，HBS能效进步4.9%，封装厚度削减27%，散热量仅添加1.4%，完结功能与形状的平衡。

  本钱上，因无需硅通孔工艺，芯片制作无需穿孔，大幅度的进步良率并下降出产本钱。

  HMC则是“复古逆袭”的代表，由美光与英特尔联合开发，初衷是处理DDR3带宽瓶颈，中心结构经过3D TSV技能将4个DRAM Die衔接至仓库底层逻辑操控芯片。

  与HBM比较，HMC省去中介层，直接经过ABF载板互联，结构更简练、推迟更低，但带宽才能稍弱，对载板走线密度和体系级规划才能有必定的要求更高。

  早年HBM成为JEDEC规范后，HMC逐步边缘化，美光2018年抛弃该技能转向HBM，现在借AI存储对本钱与差异化的需求重回工业视界。

  JEDEC固态存储协会近期泄漏，SPHBM4规范拟定挨近完结，一旦落地，凭仗与HBM4共用DRAM芯片的特性，SK海力士、三星、美光三大存储巨子可在坚持高端竞赛力的一起，斩获更多新增商场需求。

  HBF的开展势头最为迅猛，巨子纷繁布局。2025年2月，SanDisk首先推出HBF原型并建立技能顾问委员会。

  同年8月，与SK海力士签署体谅备忘录，推进标准规范化与生态建设，计划2026年下半年交给工程样品、2027年头商用。

  三星已发动自有HBF产品概念规划，Kioxia在2025年FMS上展现了单模块5TB容量、64GB/s带宽的原型产品。

  国产厂商也活跃切入HBF商场，产品符合AI“云-端协同”趋势，为端侧AI推理供应高带宽、大容量支撑。

  据每日经济新闻2025年12月29日报导，SK海力士将韩国清州HBM4专用工厂M15X的量产计划提早4个月，2026年2月即可量产1b DRAM晶圆，初期产能约1万片，2026年末将进步至数万片。

  现在其已完结M15X前期投产技能预备，包含1b HBM4工艺认证，改进型电路的HBM4晶圆将于2025年造完结，2026年1月初向英伟达交给12层HBM4内存终究样品。

  除企业发力外，职业方针也为AI存储立异保驾护航，工信部等八部分印发《“人工智能+制作”专项举动施行定见》，提出强化AI算力供应、打破高速互联要害技能。

  工信部《工业互联网和人工智能交融赋能举动计划》推进新式工业网络晋级、强化工业智算供应。

  据光明网2026年1月8日和工信部2026年1月7日官方解读，这些方针将进一步激起工业立异生机，助力HBM及代替技能开展。

  HBM守住高端根本盘，继续主导通用AI加快卡与高端HPC场景，以极致带宽满意中心算力需求。

  SPHBM4拓宽HBM使用鸿沟，浸透CPU、网络芯片、云端ASIC等通用核算场景，做大存储商场规划。

  HBF凭大容量优势占有AI推理等大容量、高带宽需求场景，成为HBM的容量互补伙伴。

  HBS赋能终端AI设备，推进手机、平板本地智能晋级，重塑终端智能生态；HMC等定制化计划则在特定AI体系中差异化落地。

  这场竞赛给存储职业带来深入革新，竞赛中心从单一技能功能比拼转向本钱、量产才能与体系级功率的归纳比赛，技能迭代加快，商场之间的竞赛多元化，终结了HBM一家独大的局势。

  对AI工业而言，存储瓶颈的缓解为其继续迸发供应坚实支撑，大模型练习、多模态生成等高端使用将获更强保证，推进AI从云端向端侧遍及。

  据工信部《举动计划》方针，2028年将推进5万家企业完结新式工业网络改造，强化工业智算供应，这背面离不开存储技能的强力支撑。

  更重要的是，这场竞赛为国产存储工业带来机会，国内厂商活跃切入HBF等赛道，要害技能继续打破。

  据人民日报社民生网2025年12月报导，长鑫存储作为国产DRAM领军者，其DDR5、LPDDR5X产品功能达世界领先水平，具有现有设备下出产高功能DRAM晶圆的才能。

  北方华创、中微公司等国产设备巨子的深孔刻蚀设备在TSV工艺上老练，可满意量产需求；华海诚科等资料厂商活跃补位，拥抱先进MR-MUF技能。

  从DRAM晶圆到TSV设备再到键合资料，国产HBM工业链妨碍正被逐个拆解。

  国产存储高端化打破，不只能在AI算力“卡脖子”技能上迈出要害一步，更标志着我国半导体工业具有出产中心先进芯片的完好才能，对工业高端化晋级含义严重。

  四大挑战者并非要替代HBM，而是构成差异化互补格式。未来竞赛的要害不在于“谁打败谁”，而在于“谁更适配场景”。

  跟着技能迭代与生态完善，AI存储圈的竞赛将继续升温，终究惠及整个AI工业，为科技开展注入连绵不断的新动能。回来搜狐，检查更加多

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